Оксид графена

Полупроводниковый аналог графена: Оксид графена был синтезирован в наших научно-исследовательских объектах с использованием модифицированной реакции метода Хаммера в водном дисперсантном растворе. Техника роста делает акцент на минимизации плотности дефекта для получения оптически активного материала и увеличении среднего размера зерна (размера лушки). В отличие от многих других оксидов графена, этот продукт является оптически активным и готов для 2D исследований полупроводников. Каждая партия роста характеризовалась электронной и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопией для определения стоихометрии; Раман, PL спектроскопия и оптическое поглощение для испытаний оптических свойств; AFM измерения атомной плоскости. Продукт отображает PL при ~2,5 eV, подполосы при 2,2 и 2,0 eV и широкие линии дефектов при 1,7 eV. Раманские спектроскопические измерения дают пики D, G, 2D и G + D. Образцы полностью насыщены кислородом, и оптические свойства материала могут быть настроены простой тепловой обработкой. Продукт идеально подходит для нанесения монослоя на различные подложки в течение 2-10 минут. Концентрация монослойного раствора фиксируется на уровне 92 мг/л.