Экспериментальная ультрафильтрационная система Aetson LDS - L2 работает на основе технологии мембранного разделения, которая использует фильтрацию ультрафильтра для достижения молекулярного разделения с помощью перепада давления или центробежного привода. Основные процессы включают:
1. Механизм отделения
Апертура ультрафильтра обычно составляет 0001 - 0,1 микрон, что позволяет удерживать крупные молекулярные вещества, такие как бактерии, вирусы и белки (молекулярный диапазон от 1000 до 500 000 дальтонов), в то время как вода, неорганические соли и мелкие молекулярные органические вещества пропускают .
Динамическая фильтрация и проектирование ошибок
В отличие от вертикальной фильтрации, экспериментальная система ультрафильтрации в основном использует тангенциальный поток (смещение) фильтрации, первичная жидкость течет параллельно через поверхность мембраны, уменьшая загрязнение мембраны. Зарезанные примеси сливаются с концентратом, чтобы избежать закупорки мембранных отверстий.
3 Условия эксплуатации
Способ привода: разность давления (0,1 - 0,7 МПа) или центробежная сила .
Работает при комнатной температуре, подходит для обработки термочувствительных веществ
Для поддержания мембранного потока необходима регулярная обратная промывка или химическая очистка.
4 Состав системы
Типичная экспериментальная ультрафильтрационная система включает в себя ультрафильтрационные компоненты (например, полые волокнистые или плоские пленки), ползучие насосы, регуляторы давления и коллекторные трубы. Некоторые системы интегрируют элементы предварительной обработки (например, фильтры) для защиты мембранных компонентов .
Экспериментальная ультрафильтрационная система Aetson LDS - L2 в основном используется в таких областях, как обогащение, очистка, диализ, замена буфера и раствор для удаления термогена. В ходе этого процесса с помощью безбумажного регистратора или жидкокристаллической панели могут отображаться и записываться данные о весе образца, давлении перед мембраной, давлении обратного тока, давлении через мембрану, трансмембранном давлении TMP и т.д.
